蚀刻设备方面，苏州净化设备厂凭借现有技术，计划自主设计石英蚀刻槽。这一蚀刻槽将与南通化工厂经提纯工艺产出的国产氢氟酸配套使用，目标实现 4 英寸晶圆的批量蚀刻。
中电科 48 所则负责推出首台 RIE 设备 RIE-89，采用 cF4 气体蚀刻多晶硅，考虑到技术和成本限制，初步设定该设备蚀刻均匀性控制在 ±10%，待技术成熟后，再向国际标准 ±5% 靠拢。
掺杂设备领域，中科院京城科仪厂规划试制 bJI-200 中束流机型，该机型能量范围设计为 20 - 150keV，束流稳定性目标达 80%，为简化设备切换步骤、提升生产效率，会议还计划推动该厂与双旦大学合作，联合开发硼磷共掺杂工艺。
原材料与耗材供应链建设部分的企业名单同样经过了充分的讨论。
硅片制备环节，洛阳单晶硅厂将通过引进日本 Ferrotec 的 cZ 磁场直拉法技术，预定在 1988 年实现 4 英寸硅片量产，并将电阻率均匀性控制在 ±15%。
长安理工大学晶体所研发的内圆切割机金刚石刀片，国产化率已达 70%，按规划，到 1989 年，该厂抛光片粗糙度有望达到 0.5n，逼近国际标准 0.3n。
光刻胶与化学品方面，京城化学试剂所将联合东理大学，筹备在 1989 年量产 bJ-2 正胶，分辨率达 1.5 微米。为降低成本，有人建议推动这些企业将酚醛树脂原料更换为吉省石化产品。
魔都化学试剂厂则负责建立超净车间，将氢氟酸纯度提升至 99.999%，把金属杂质含量控制在小于 1ppb，满足芯片制造厂的严苛要求。
特种气体方面，南京特种气体厂引进漂亮国空气化工的纯化技术，预计 1989 年将硅烷纯度提升到 99.9999%，为 cVd 工艺提供支持。攀钢集团副产氩气提纯项目按计划在今年投产，届时氩气纯度将达到 99.999%。
会议室内，暖黄色的灯光洒在众人身上，周希舞认真听完众人对半导体产业规划的讨论，看到这份规划在与会人员的群策群力下，可行性大幅提升，不禁露出欣慰的笑容。
他语气中带着几分肯定：“很好！虽然规划里涉及的企业分布在全国各地，很多工作没有中央层面的支持，推动起来难度较大，但这无疑是一个可行的方向。我们就按这个思路执行，过程中遇到问题，再灵活调整。”
“另外我也打算把这份规划拿给我们的鹏城市长兼粤省副省长李皓过目，看看他能为我们提供哪些政策支持。”
“哦，对了！小秦你们三垣组织不是计划在今年年底建成五城通信的计算机网络么？到时候你这网络感觉在整合半导体产业信息方面能有大作用！”
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在半导体产业规划有序推进的同时，秦奕手中拿着精心准备的机场信息化方案，前往吴松英的办公室。
推开办公室门，他将方案轻轻放在桌上，准备向吴松英详细阐述方案的要点与实施计划 。
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